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1、测量RSE时，DCS 2次谐波没有超标：-39dBm左右，但是3次谐波超标，-33dBm 已经加上低通滤波器，加上后2次的谐波有6dB的下降，但3次谐波基本没有变化 请问各位有没有遇到过这种情况，会不会不是匹配电路的影响，是结构其他方面的影响？。
如果这样的话，表示你RSE的3次谐波跟CSE完全没关系，你在Connector之前做任何动作 包含加低通滤波器都于事无补！可能跟天线周边组件相关，因为有可能RF讯号透过走线或是天线本身耦合到这些组件，透过其非线性效应产生3倍谐波，再耦合到天线辐射出去。
把天线附近的TVS管，喇叭，马达，马达泄流二极管通通拔掉，看辐射杂散有无改善?
若真的跟这些组件有关，那***是在其讯号输入口摆放0201的18pF电容，避免DCS的RF讯号灌入这些组件2、再来，把屏蔽盖拿掉去测辐射杂散看改善还是更糟?这两个结果都可能发生，如果改善，则表示跟屏蔽盖接地有关，先说明二极管动作机制，假设电压正好为二极管的临界电压 例如0.7V。
因为电压有到达临界电压，所以一开始会导通，但可能因为误差，好比少个0.1V或0.2V此时，电压低于临界电压，那么二极管***不导通，之后电压又恢复正常，又到达临界电压，于是二极管又恢复导通换言之，当电压正好为二极管的临界电压时，其二极管的动作状态：会呈现 : On => Off => On => Off…….的状态。
3、接下来再来探讨两件式屏蔽罩的接地：
再来探讨两件式屏蔽罩的接地，若Shielding Cover跟Shielding Frame接触良好，则Shielding Cover跟Shielding Frame之间会呈现导通状态，反之，若接触不好，会呈现不导通状态。
那如果Shielding Cover跟Shielding Frame的接触不是那么良好。则其接触状态会正好处于临界点，接触好***导通，接触不好***不导通。如下图：
换言之，若Shielding Cover跟Shielding Frame的接触处于临界状态，一开始会导通，若之后可能因为稍有误差，以至于接触状态低于临界点，那么***不导通，再之后其接触状态又恢复良好，于是又导通。
如下图：
换言之，当Shielding Cover跟Shielding Frame的接触不那么良好时，亦即正好处于临界点 其接触状态，会呈现 : On => Off => On => Off…….的状态，这正好等同于一个电压处于临界电压的二极管行为模式。
而大家知道，二极管是会因为非线性效应而产生谐波的
结论是，若Shielding Cover跟Shielding Frame的接触处于临界状态，则会因为二极管行为模式产生谐波因为PA会将Tx讯号耦合到上方的屏蔽罩，亦即屏蔽罩会有残留的Tx讯号若Shielding Cover跟Shielding Frame接触良好，亦即该屏蔽罩接地良好，则残留的Tx讯号会通通流到GND，但若Shielding Cover跟Shielding Frame的接触不那么良好时，则残留的Tx讯号会因为二极管行为模式使残留的Tx讯号产生谐波，接着再透过屏蔽罩的共振腔结构耦合到天线，***后再透过天线辐射出去，那么辐射杂散***会变大。
验证方式: 可直接将屏蔽盖拿掉，看是否有改善，这动作目的是去除屏蔽罩残留的Tx讯号以及破坏共振腔结构，解决之道***是改善屏蔽盖接地拿掉屏蔽盖之后，辐射杂散改善，还有个原因，来自屏蔽盖跟PA的寄生效应
因为组装整机时，中框会往下挤压，导致屏蔽盖离PA太近，跟PA内部的Bondwire产生寄生效应，进而影响特性解决之道，要嘛加大屏蔽盖跟PA之间的距离，要嘛PA上方直接开天窗如果屏蔽盖拿掉去测辐射杂散，结果更糟，那表示跟PA有关。
PA本身产生的3倍谐波，透过缝隙泄漏出去，耦合到天线，再辐射出去你把屏蔽盖拿掉，等于连泄漏都不用，连个阻挡的机制都没有，直接耦合到天线，当然结果会更糟解决之道：要嘛改机构件设计把缝隙封起来，要嘛PA上方贴吸波材料~~~。
